Версия для печати
Технические характеристики FOD817CSD

Напряжение выходное	70V
Корпус (размер)	4-SMD
Тип выхода	Transistor
Vce Saturation (Max)	100mV
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Voltage - Isolation	5000Vrms
Количество каналов	1
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current Transfer Ratio (Min)	200% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	400% @ 5mA
Тип входа	DC
Тип монтажа	Поверхностный
Output Type	Transistor

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		43045-0400			MOLEX
		43045-0400			MOLEX
		43045-0400			MOL
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	2.12
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	205	1.53
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	99 913	1.69
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	396 392	1.54  >100 шт.   0.77
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		21 690	1.28  >100 шт.   0.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.52
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	5 061	1.54  >100 шт.   0.77
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	129 536	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	52 800	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	155 651	1.32  >500 шт.   0.44
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	6 680	1.32  >500 шт.   0.44
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 812	1.23  >500 шт.   0.41
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	RUME	84 000	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SLKOR	21 600	1.44  >500 шт.   0.48
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	SEMTECH
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	FAIR
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)		15 608	1.54
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	MCC
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	Fairchild Semiconductor
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	FAIRCHILD
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	YJ	37 632	1.87
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	YT
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	FSC
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	ONS
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	ONS-FAIR
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	KINGTRONICS	6	14.46
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	HOTTECH	1 520	1.34  >100 шт.   0.67
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	YANGJIE	4 000	1.73
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	YANGJIE (YJ)
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	DIOTEC	19 848	3.44
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	LGE
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	KEEN SIDE
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	SEP
		MB4S		Диодный мост SMD 0,5A 280V(RMS)	1900
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	DC COMPONENTS	97 284	1.59
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	DC COMPONENTS	4 285
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA		2 400	1.84  >100 шт.   0.92
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	КИТАЙ
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	GALAXY
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	YJ
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	GALAXY ME
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	HOTTECH	35 816	1.40  >100 шт.   0.70
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	KLS
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	TY	19	1.71
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	OLITECH	1 728	1.52  >100 шт.   0.76
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	YANGJIE	28 000	1.85
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	MIC	320	1.44  >100 шт.   0.72
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	TRR
		SS110		SMD диод Шоттки 100V 1A SMA	3500
		TLCY5100		Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм	VISHAY
		TLCY5100		Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм
		TLCY5100		Сверхяркий светодиод в корпусе диаметром 5мм

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"