Версия для печати
Технические характеристики CC0805KRX7R9BB473

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	X7R
Рабочая температура	-55...125 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	2.0x1.2x1.2
Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	X7R
Емкость	0.047 мкФ
Серия	CC_0805
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	5 374	1.27
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	378	2.25
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	132	1.41
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	11 516	1.70  >100 шт.   0.85
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	455 082	1.11
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	42 710	1.16
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	KEEN SIDE	10 405	1.03
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	14895
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В		32	5.92
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	YAGEO	70 967	2.36
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	YAGEO
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	СКЛАД
		CRCW08051K00FKEA		Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С	VISHAY	14	1.29
		CRCW08051K00FKEA		Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С	VISHAY	3 076
		CRCW08051K00FKEA		Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С	Vishay/Dale
		CRCW08051K00FKEA		Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
		CRCW08051K00FKEA		Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С	VIS
		LQH32CN4R7M33L		Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
		LQH32CN4R7M33L		Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
		LQH32CN4R7M33L		Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
		LQH32CN4R7M33L		Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MUR	15 959	7.32
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	PHILIPS
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	NXP	14 131	1.22  >100 шт.   0.61
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD		4	7.56
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	NXP	11 016
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	PHILIPS
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	NEXPERIA
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	NEXPERIA	40
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	1
		PMBT2222A		Транзистор биполярный SMD	17664

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"