C2012X7R1H154KT

Версия для печати

Технические характеристики C2012X7R1H154KT

Производитель	TDK ELECTRONIC COMPONENTS & SYSTEMS
Температурный коэфициент	X7R
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	X7R
Номинальное напряжение	50 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	General Multilayer Ceramic Chip Capacitors
Размер	2.0x1.2x1.2
Емкость	0.15 мкФ
Серия	C2012
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	PHILIPS
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	NXP
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate			18.00
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	NEX-NXP	41	27.59
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	NEXPERIA
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	NXP/NEXPERIA
HEF4011BT.653	Quad 2Inp NAND Gate	4-7 НЕДЕЛЬ	796
RC0603FR-073K3L		PHYCOMP
RC0603FR-073K3L		YAGEO	1 655 798	0.70 >1000 шт. 0.14
RC0603FR-073K3L				5.80
RC0603FR-073K3L		PHYCOMP	15 384
RC0603FR-073K3L		YAGEO
RC0603FR-073K74L		YAGEO	162 348	0.80 >1000 шт. 0.16
RC0603FR-073K74L		YAGEO	44 444
RC0603FR-073K74L				0.72 >500 шт. 0.24
TLHG4401	Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм	VISHAY	344	34.10
TLHG4401	Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм	VISHAY
TLHG4401	Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм	Vishay/Semiconductors
TLHG4401	Светодиоды высокоинтенсивного свечения, диаметр 3мм			12.80
КФ140УД1208				45.60
КФ140УД1208		КИЕВ
КФ140УД1208		КВАЗАР