|
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 330mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 78pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
|
BSS83P (Полевые МОП транзисторы) SIPMOS and#174; Small-Signal-Transistor
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) | FUJITSU |
|
|
|
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) | FUJI ELECTRIC |
|
|
|
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) | FUJI |
|
|
|
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) | FUJ |
|
|
|
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) |
|
124.24 | ||
|
|
|
2SK2651 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6A, 50W) | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей | KB |
|
|
|
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей | KINGBRIGHT |
|
|
|
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей |
|
150.24 | ||
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CA25-12EWA |
|
Светодиодный дисплей | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
CF-0.125-1.0M 5% |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 1МОм, 5% | CHINA |
|
|
||
|
|
CF-0.125-1.0M 5% |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 1МОм, 5% |
|
1.20 >500 шт. 0.40 |