|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 77pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
|
BSS131 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП509А9 |
|
28.80 | ||||||
| КП509А9 | МИНСК |
|
|
|||||
| КП509А9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КП509В9 |
|
|
||||||
| КП509В9 | МИНСК |
|
|
|||||
| КП509В9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRAB30S |
|
118.00 | ||||||
| PRAB30S | ПРОТОН | 7 419 | 220.50 | |||||
| PRAB30S | РАДИОДЕТ | 64 | 178.17 |