| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
56 056
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 196
|
2.94
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
12 341
|
3.41
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
30
|
7.53
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
159
|
3.63
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
475 711
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 603 115
|
1.57
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
5
|
2.04
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
602 878
|
1.06
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
3611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
RUME
|
480
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ASEMI
|
8 192
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.) |
|
|
|
|
279.92
|
|
|
|
|
FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.) |
|
|
|
|
279.92
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
|
|
321.20
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
|
|
321.20
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
INA169NA/250 |
|
ИМС датчика тока
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
223
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
|
|
135.96
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
США
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
HGSEMI
|
229
|
74.07
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
LQH55DN470M03L |
|
SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220
|
MURATA
|
1 912
|
192.74
|
|
|
|
|
LQH55DN470M03L |
|
SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220
|
|
192
|
168.00
|
|
|
|
|
LQH55DN470M03L |
|
SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220
|
MUR
|
2 372
|
64.86
|
|
|
|
|
LQH55DN470M03L |
|
SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220
|
MURATA
|
|
|
|