| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
9
|
1.59
|
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NEX-NXP
|
1
|
1.20
|
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
28 623
|
102.29
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
165
|
104.71
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
95.76
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
92
|
111.41
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
294
|
|
|
|
|
|
MCP130-450DI/TO |
|
Супервизор Utrip=4,375V -40/+85°C TO92-3pin
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP130-450DI/TO |
|
Супервизор Utrip=4,375V -40/+85°C TO92-3pin
|
|
|
156.80
|
|
|
|
|
MCP130-450DI/TO |
|
Супервизор Utrip=4,375V -40/+85°C TO92-3pin
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP130-450DI/TO |
|
Супервизор Utrip=4,375V -40/+85°C TO92-3pin
|
MICRO CHIP
|
2
|
|
|
|
|
|
MCP130-450DI/TO |
|
Супервизор Utrip=4,375V -40/+85°C TO92-3pin
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
218
|
|
|
|
|
|
PWL-05 PITCH 3.96 MM |
|
|
|
1 012
|
4.32
|
|
|
|
|
PWL-05 PITCH 3.96 MM |
|
|
КИТАЙ
|
7
|
4.22
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
35.91
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
598
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|