|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV74LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV74LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV74LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
13 061
|
|
|
|
|
BAV74LT1G |
|
|
|
29
|
7.56
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
11 190
|
1.48
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 028
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
29 052
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
894 747
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
60 000
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
666 214
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 489
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
55 592
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
497 582
|
1.04
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
699 338
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEEN SIDE
|
27 856
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MERRYELC
|
120 640
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
44 046
|
1.46
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 299
|
1.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
109 877
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
5 872
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.61
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
68 593
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
272 295
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
295
|
1.23
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
34 580
|
1.28
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
24 035
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
2 188
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
37 092
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
190 528
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
7
|
39.06
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
JSMICRO
|
36 870
|
2.49
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
1 188
|
25.90
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
VBSEMI
|
1
|
3.78
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TECH PUB
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
OLITECH
|
1 957
|
5.70
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
YOUTAI
|
26 419
|
2.21
|
|