Версия для печати

2SC3752 (Универсальные биполярные транзисторы) Switching Regulator Applications Производитель: Sanyo Semicon Device //www.semiconductor-sanyo.com 2SC3752 datasheet 94.74Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1413		Биполярный транзистор Si-P, 600/600V, 1A, 10W, 28MHz	NEC
		2SA1413		Биполярный транзистор Si-P, 600/600V, 1A, 10W, 28MHz			54.60
		2SA1413		Биполярный транзистор Si-P, 600/600V, 1A, 10W, 28MHz	КИТАЙ
		2SA1413		Биполярный транзистор Si-P, 600/600V, 1A, 10W, 28MHz	NTM
		2SC3807		Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800	SANYO
		2SC3807		Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800		4	98.28
		2SC3807		Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800	SAN
		2SC3807		Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		2 660	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS	240	155.80
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	SANYO	8	219.24
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)		3	173.90
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	СИНГАПУР
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	101

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"