2N2219A
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Корпус | TO-39 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2N2219A HIGH SPEED SWITCHES
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности |
|
96.48 | ||
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
2N1711 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | CSEMI |
|
|
|
| КТ928Б | 287 | 353.40 | ||||||
| КТ928Б | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ928Б | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КТ928Б | ИНТЕГРАЛ | 80 | 218.62 | |||||
| КТ928В | 41 | 353.40 | ||||||
| КТ928В | МИНСК |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KXO-200 50.0 MHZ DIL14 | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KXO-200 50.0 MHZ DIL14 |
|
266.80 | ||||||
| KXO-200 50.0 MHZ DIL14 | GEYER |
|
|
|||||
| LGA0307 6.8UH 10% | CHINA |
|
|
|||||
| LGA0307 6.8UH 10% |
|
3.56 | ||||||
 |
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W | SK |
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W |
|
182.48 | ||
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W | 1 |
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
 |
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA | TOSHIBA | 8 | 148.35 | |
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA | 817 | 158.10 | ||
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA | 817 | 158.10 | ||
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA | TOS |
|
|
|
| ТСО142-40-10 | 331 | 814.68 |
