| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
845
|
14.99
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
|
|
108.00
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 416
|
19.48
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
1 748.99
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
|
83
|
846.40
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
БРЯНСК
|
371
|
954.00
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
21
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
448
|
|
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
98.38
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
|
345
|
136.16
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|