| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® 16F |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 20MHz |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 18 |
| Размер программируемой памяти | 7KB (4K x 14) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Размер памяти | 256 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 12x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
4 511
|
7.12
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
965
|
2.96
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
32 587
|
4.55
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
24.20
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 264
|
9.30
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
296
|
4.69
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
41 624
|
3.09
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 280
|
4.89
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
3.19
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
77
|
11.40
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
19 467
|
1.85
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
4 800
|
2.05
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
45 600
|
2.22
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
38 700
|
2.47
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.78
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KEEN SIDE
|
80
|
2.87
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
8560
|
|
|
|
|
|
 |
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
309
|
179.00
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
|
456
|
121.28
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
27
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
798
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
|
|
468.00
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
504
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
|
|
185.88
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
Версия для печати
