FDFMA2P029Z


Купить FDFMA2P029Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDFMA2P029Z MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Версия для печати

Технические характеристики FDFMA2P029Z

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds720pF @ 10V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-MLP, 6-MicroFET™
Корпус6-MicroFET (2x2)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDFMA2P029Z datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход