MMBT8099LT1G


Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=0.5A, P=250mW, hfe>40 , f>400MHz, -65 to +150C)

Купить MMBT8099LT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MMBT8099LT1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MMBT8099LT1G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 748 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT8099LT1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Power - Max225mW
Frequency - Transition150MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationPossible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход