IXFX64N50P

Версия для печати

Технические характеристики IXFX64N50P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8700pF @ 25V
Power - Max	830W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS247™-3
Корпус	PLUS247™-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFX64N50P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFX64N50P datasheet
225.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	CHINA
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	MIC	12 880	4.99
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	DC COMPONENTS	9 280	13.87
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В		19 696	6.73
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	Micro Commercial Co
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	GALAXY
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KINGTRONICS
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	КИТАЙ	400	24.57
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YJ
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	LGE	800	8.27
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	SUNTAN	151	10.05
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	WUXI XUYANG
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE	480	11.23
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE (YJ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KOME
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	TRR
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	ASEMI	312	5.64
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	BO	3 840	5.07
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGZHOU YANGJIE	23	19.89
DSP25-16A		IXYS	59	262.81
DSP25-16A
FDH50N50		Fairchild Semiconductor
FDH50N50
IXFH44N50P	N-Ch 500V 44A 650W 0,14R	IXYS
IXFH44N50P	N-Ch 500V 44A 650W 0,14R			720.00
IXFX64N60P	Polarhv hiperfet power mosfet	IXYS
IXFX64N60P	Polarhv hiperfet power mosfet