Версия для печати
Технические характеристики IRF7307PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A, 4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7307 (N/P-канальные транзисторные модули) N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7307PBF datasheet 282,14kB 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)			5.08
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	8 845
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	44	3.10
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA	10	4.50
		BC847BPN		Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP/NEXPERIA	300	4.90
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	RECTIFIER
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	VISHAY
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт		10	98.28
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	5
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	Vishay/Siliconix
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	SILICONIX	20
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	1
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	ST MICROELECTRONICS
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом			1 417.60
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	STMicroelectronics
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	МАЛЬТА
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	ST MICROELECTRO
		L3G4200D		Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	4-7 НЕДЕЛЬ	102
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE SEMICONDUCTOR
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FRS
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси			820.00
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE SEMICONDUCTOR
		MMA7455LT		Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	4-7 НЕДЕЛЬ	256
		RES 0603 4K7 1%			YAGEO
		RES 0603 4K7 1%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"