1000МКФ 6.3 (8X14)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC857A.215		NXP
BC857A.215		NEX-NXP	15	1.05
BC857A.215
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА	TEXAS INSTRUMENTS
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА			40.12
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА	Microsemi Analog Mixed Signal Group
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА	ON Semiconductor
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА	TEXAS
TL431BILP	Источник опорного напряжения в корпусе ТО -92, 36В, 100мА	4-7 НЕДЕЛЬ	454
КТ315А ЗЕЛЕН.	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...	ТОМСК
КТ315А ЗЕЛЕН.	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
КТ315А ЗЕЛЕН.	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...	НАЛЬЧИК
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА			16.72
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	26	15.12
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			16.12
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ