Версия для печати
Технические характеристики SGA-6389Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Ток выходной	72mA ~ 88mA
Частота	0Hz ~ 4.5GHz
Frequency	0Hz ~ 4.5GHz
Gain	14dB
Noise Figure	4.2dB
P1dB	18.9dBm (77.6mW)
Корпус (размер)	SOT-89
RF Type	Cellular, GSM, PCS, UMTS
Test Frequency	1.95GHz
Напряжение питания	4.6 V ~ 5.4 V

SGA-6389Z datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Радиочастотные компоненты (RF и RFID)

 » 

RF усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-NP0-50-150ПФJ			HITANO
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V		3 240	1.30
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	FAIR
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	VISHAY
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	Fairchild Semiconductor
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	GALAXY
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	КИТАЙ
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	GALAXY ME
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	KINGTRONICS
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	HOTTECH
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	SEMTECH
		BZX55C33		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 33 V	NXP(PHILIPS)
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)			109.28
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NSC
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NS	10	139.50
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	4-7 НЕДЕЛЬ
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	MASTER INSTRUMENT CO
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	DC COMPONENTS
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)		3 488	5.58
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	GALAXY	327	14.38
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	КИТАЙ
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	YJ	4 278	9.08
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	MIC	3 029	14.22
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	82	16.83
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	---
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	KINGTRONICS
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	GALAXY ME
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	WUXI XUYANG
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	KLS
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	HOTTECH	12 501	10.63
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	YANGJIE
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	YANGJIE (YJ)
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	SEP	298	8.50
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	0.00
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	SEMTECH	8	24.66
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	MICRO COMMERCIAL CO
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	ASEMI	17 350	7.22
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	TRR	1 200	5.00
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	KEEN SIDE	220	5.24
		RS207		Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)	3013
		TDA8357J		TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	PHILIPS
		TDA8357J		TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	NXP
		TDA8357J		TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)			145.00
		TDA8357J		TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"