SI7812DN-T1-GE3


Купить SI7812DN-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7812DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
Версия для печати

Технические характеристики SI7812DN-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs37 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds840pF @ 35V
Power - Max52W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® 1212-8
КорпусPowerPAK® 1212-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7812DN-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход