КТ 3130 А9

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-4.70K 1%	ЧИП — резистор 4,7кОм, 1%			1.24
1Т308А			102	15.12
1Т308А		НАЛЬЧИК
1Т308А		МИНСК
1Т308А		РИГА
2Т610Б			59	1 061.89
2Т610Б		МИНСК
P2N2222AG	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
P2N2222AG	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
P2N2222AG	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ONS
P2N2222AG	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА		120	5.52
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	4	16.40