КР 544 УД1Б

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД522 (1N4148)	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
КД522Б1		САРАНСК
КД522Б1
КД522Б1
КТ 815 Г (06-09Г)		RUS
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		963	29.44
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	8 044	33.90
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	13 124	37.80
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК	8 000	37.80
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		672	30.18
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	5 850	33.90
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 233	37.80
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ