КР 249 КН2А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT24C256-10PI-18		ATMEL
AT24C256-10PI-18
AT24C256-10PI-18
AT24C256-10PI-18		4-7 НЕДЕЛЬ	146
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)		158	462.50
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	STMicroelectronics
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTR
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	СИНГАПУР
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST1
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	SGS THOMSON
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRO
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	4-7 НЕДЕЛЬ	724
К249КН1А			16	64.75
К249КН1А		ОПТРОН	6	79.80
К249КН1А			16	64.75
КР249КН201А				105.60
КР249КН201А		ПРОТОН	208	157.50
КР249КН2Б			406	109.62
КР249КН2Б		ПРОТОН	752	182.70
КР249КН2Б		ИЗЛУЧАТЕЛЬ
КР249КН2Б		ПРОТОН