КД 105 Д

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К 553 УД1В		RUS
КМ155ИМ3			52	11.10
КМ155ИМ3		МИОН
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		1 760	37.48
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	10 342	31.80
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ	4	169.60
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		53 704	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.04
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	465