| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
|
6 669
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
ФОТОН
|
520
|
24.80
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
СЗТП
|
52
|
15.12
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
ТЕРРА
|
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
4 006
|
25.76
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 108
|
31.50
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
|
800
|
34.02
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
|
43
|
30.24
|
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
САРАНСК
|
477
|
25.20
|
|
|
|
|
КЦ 405 А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
