К 157 УД3

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		1 760	37.48
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	9 642	26.85
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ	4	143.20
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
КП707В2	(BUZ90)		1	139.50
КП707В2	(BUZ90)	ВЗПП
КП707В2	(BUZ90)	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КП707В2	(BUZ90)	ВОРОНЕЖ
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ
КТ603А	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...		364	53.09
КТ603А	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ПЛАНЕТА	2 217	35.80
КТ603А	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	МИНСК
КТ603А	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	СВЕТЛАНА
КТ603А	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ВОРОНЕЖ
КЦ 405 А	Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	RUS