| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
|
|
10.00
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
ПРОТОН
|
1
|
10.60
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
2
|
|
|
|
|
|
 |
КС 168 А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
3
|
925.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
169
|
1 325.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25-390 КОМ-5% |
|
|
|
2 108
|
5.55
|
|
|
|
|
ОМЛТ-0,5-3 КОМ-5% |
|
|
|
776
|
7.40
|
|
Версия для печати
