АОТ 110 Б

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SN74ALS86N		TEXAS INSTRUMENTS
SN74ALS86N
SN74ALS86N		TEXAS INSTRUMENTS
SN74ALS86N		TEXAS
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В		2 418	33.12
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА СИД
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	СТАРТ	296	31.00
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА-СИД
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПРОТОН
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	RUS
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	3
АЛ307БМ	Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	6162
КС447А1			146	177.08
КС447А1		НЗПП
КТ 816 Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	140	1 034.56
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		26	592.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 473.40
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88