SIHP18N50C-E3


Купить SIHP18N50C-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SIHP18N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 18A TO220 MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Версия для печати

Технические характеристики SIHP18N50C-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs270 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2942pF @ 25V
Power - Max223W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SIHP18N50C-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход