RK-1111N-B10K,L-25F

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST MICROELECTRONICS	120	149.76
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	STMicroelectronics
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST1
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST MICROELECTRO
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
R-0901N-A10K,H-6.5,L-25KQ		SONG HUEI ELEC
SGB15N60HS	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...	INFINEON
SGB15N60HS	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...			360.00
SGB15N60HS	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...	Infineon Technologies
STTH30R03CG	Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс	ST MICROELECTRONICS
STTH30R03CG	Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс	STMicroelectronics
STTH30R03CG	Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
STTH30R03CG	Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс	ST MICROELECTRO
WSL2512R1000FEA				225.40
WSL2512R1000FEA		Vishay/Dale
WSL2512R1000FEA		VISHAY	7	43.56
WSL2512R1000FEA		VISHAY
WSL2512R1000FEA		DALE