|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MURATA
|
1 777
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MUR
|
27 093
|
1.47
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
MUR
|
15 515
|
1.24
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
MURATA
|
87 600
|
9.50
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
96.90
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
2 233
|
26.59
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
PCSS- 8 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PCSS- 8 |
|
|
KLS
|
2 640
|
18.70
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
45.90
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
4
|
98.40
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|