| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MURATA
|
1 777
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
MUR
|
33 650
|
1.23
|
|
|
|
|
GRM21BR71H224KA01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
MUR
|
48 940
|
1.19
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71H474KA88L |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
MURATA
|
69 760
|
8.13
|
|
 |
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
260
|
98.28
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
1 883
|
20.30
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
30.01
|
|
|
|
|
PCSS- 8 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PCSS- 8 |
|
|
KLS
|
7 840
|
9.30
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
35.92
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
7
|
75.60
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
749
|
|
|
Версия для печати
