Версия для печати
Технические характеристики BZV55C6V2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	6.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 2V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	10 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Mini MELF
Корпус	SOD-80C
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 283	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	742	10.28
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 968	7.91
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V		22 860	1.08  >100 шт.   0.54
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	NXP
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	PHILIPS
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	КИТАЙ
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	KINGTRONICS	21 600	3.10
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	HOTTECH	95 755	1.78  >100 шт.   0.89
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	SEMTECH
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	KLS
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	NEX-NXP	16 000	5.17
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	1
		BZV55C6V8		Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V	KUU	320	1.10
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO	330 327	1.58  >100 шт.   0.79
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KKX7R0BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO
		KBPC3510W 35A 1000V		Диодный мост 35А, 1000В		82	80.19
		RC1206FR-07330RL			YAGEO	266 538	0.69  >500 шт.   0.23
		RC1206FR-07330RL			YAGEO	3 076
		RC1206FR-07330RL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"