5 W 4.7 OHM

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	ST MICROELECTRONICS
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W			229.48
TDA7294	УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	4-7 НЕДЕЛЬ	620
К 1401 УД1
К 1401 УД1		RUS
КТ 502 Е		RUS
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	КРЕМНИЙ	80	94.48
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...		302	55.50
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	БРЯНСК	1 383	35.80
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	RUS
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	1092
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	784
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный		384	71.76
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	КРЕМНИЙ	80	89.79
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	БРЯНСК	436	100.24
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	RUS
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	101
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	464
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	92
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	4