2С 156 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
142ЕН5А		КРЕМНИЙ	277	1 261.00
142ЕН5А			76	1 416.80
142ЕН5А		БРЯНСК	180	1 441.60
142ЕН5А		ПРОХЛ.,КРЕМНИЙ
142ЕН5А		ТОМИЛИНО
142ЕН5А		1
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		3 905	56.70
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	1 221	63.60
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	174	77.60
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	1527
2С 147 А		RUS
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		183	703.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	2	1 272.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 390
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
С2-33Н-0,25-20 КОМ-5%