2С 156 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
142ЕН5А		КРЕМНИЙ	237	1 248.00
142ЕН5А			55	1 582.40
142ЕН5А		БРЯНСК	80	1 575.00
142ЕН5А		ПРОХЛ.,КРЕМНИЙ
142ЕН5А		ТОМИЛИНО
142ЕН5А		1
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		11 108	34.96
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	1 520	63.00
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	190	76.80
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
2С 147 А		RUS
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		14	993.60
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	12	1 260.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 495
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
С2-33Н-0,25-20 КОМ-5%