|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
|
400
|
9.83
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
580
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
NXP
|
551
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4745A |
|
Стабилитрон 16В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
B72214S0271K101 |
|
|
EPCOS
|
23 442
|
12.56
|
|
|
|
B72214S0271K101 |
|
|
|
|
|
|
|
|
B72214S0271K101 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
B72214S0271K101 |
|
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
B72214S0271K101 |
|
|
TDK-EPC
|
64 308
|
7.42
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
15 580
|
1.06
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
30 256
|
3.34
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
1 519
|
2.51
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
3.10
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
292
|
4.73
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.50
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
7 134
|
2.38
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
58.59
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
288
|
85.60
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
|
|
43.12
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
7
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|