HCS1201B

излучатель звука 13мм 1.5В

Версия для печати

Технические характеристики HCS1201B

Тип	электромагнитный
Встроенный генератор	Нет
Частота,Гц	2400
Номинальное рабочее напряжение,В	1.5
Максимальный ток ,мА	70
Сопротивление катушки,Ом,	6.5
Интенсивность звука,дБ	72
Толщина корпуса h,мм	7
Диаметр(ширина) корпуса d,мм	12.8
Рабочая температура,С	-40...85

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 22PF CL10C220JBNC		SAMSUNG
0603 22PF CL10C220JBNC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		68 856	1.82 >100 шт. 0.91
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	8.59
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 196	2.73
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	29 381	2.90
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	38	6.33
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	159	2.98
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	478 821	1.46 >100 шт. 0.73
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 588 872	1.49
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	5	1.72
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	185 453	1.96 >100 шт. 0.98
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KEEN SIDE
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	3611
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	611
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	RUME	480	1.04 >100 шт. 0.52
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ASEMI	26 412	1.32 >100 шт. 0.66
L-132XYT	Единичный светодиод 3мм матовый, желтый 15mcd 588nm 50°	KB
L-132XYT	Единичный светодиод 3мм матовый, желтый 15mcd 588nm 50°	KINGBRIGHT	20	7.50
L-132XYT	Единичный светодиод 3мм матовый, желтый 15mcd 588nm 50°			6.52
L-132XYT	Единичный светодиод 3мм матовый, желтый 15mcd 588nm 50°	КИТАЙ
L-132XYT	Единичный светодиод 3мм матовый, желтый 15mcd 588nm 50°	KGB	2 720	10.15
К1116КП9				84.00
К1116КП9		ПМЗР
ЧИП 0603 390 1%		YAGEO
ЧИП 0603 390 1%		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ЧИП 0603 390 1%		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)