Версия для печати
Технические характеристики AT28C16-15SC

Корпус	24-SOIC W
Корпус (размер)	24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	16K (2K x 8)
Скорость	150ns
Формат памяти	EEPROMs - Parallel
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD633JR		Мультиплексор аналоговый	ANALOG DEVICES
		AD633JR		Мультиплексор аналоговый			630.12
		AD633JR		Мультиплексор аналоговый	Analog Devices Inc
		AD633JR		Мультиплексор аналоговый	4-7 НЕДЕЛЬ	751
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 503	1.43
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	16 338	2.79
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		14 685	1.28  >100 шт.   0.64
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	753 733	1.68  >100 шт.   0.84
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	428 419	1.01
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	220	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	1 366	1.75
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.08  >500 шт.   0.36
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	63 588	1.50  >500 шт.   0.50
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SLKOR	85	1.06  >100 шт.   0.53
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	130 489	1.35  >500 шт.   0.45
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1700
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	2209
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	3000
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	208619
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	416
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ELZET	213 360	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	RUME	129 600	1.10  >100 шт.   0.55
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TRR	72 000	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.40
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		2 414	2.36
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	85 272	1.56
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NXP
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	PHILIPS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ON SEMICONDUCTOR
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	PHILIPS	315
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	STMicroelectronics
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	КИТАЙ
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	INFINEON TECH
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	МАРОККО
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	МАЛАЙЗИЯ
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ONS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ST MICROELECTRONICS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NXP	515
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250		32 765	3.97
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	DIODES
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	HOTTECH	96 889	3.87
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	LGE
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	KLS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SIKOR
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SLKOR	5 893	7.90
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	YJ	139 101	3.48
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	JSCJ	2 616	7.21
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	1
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SUNTAN
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	TRR	29 600	3.29
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	JY	2 184	3.89
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ZH	4 380	5.32
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NEXPERIA
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	KEEN SIDE	10 514	2.78
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	YANGJIE
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	20
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	4000
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	17 115	4.99
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"