Версия для печати
Технические характеристики TOP232PN

Корпус	DIP-8B
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	15W
Напряжение выходное	700V
Частотный диапозон	66 ~ 132kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	TOPSwitch®-FX
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	6 614	11.42
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 608	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	148 184	4.01
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	854	4.71
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	140 626	3.64
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 536	5.09
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.58
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.72
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.36
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	32 541	1.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	60 800	3.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.74
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		81 710	2.67
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	14 815	8.93
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	12 375	3.71
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	11.48
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	7 123	12.44
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	3 204	4.56
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	2 380	5.05
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	14 400	3.40
		FQD19N10LTM			Fairchild Semiconductor
		FQD19N10LTM			FAIR
		FQD19N10LTM
		FQD19N10LTM			FAIRCHILD
		FQD19N10LTM			ONS	160	76.45
		FQD19N10LTM			ONS-FAIR
		FQD19N10LTM			ON SEMICONDUCTOR
		FQD19N10LTM			FAIRCHILD	1 467
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А		1 592	169.02
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	PWR	1 536	166.91
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	PI
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	POWER INTEGRATIONS
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	POWER INTEGRATIONS
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	ТАИЛАНД
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	POWER INTEGRATI
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	1
		TOP223YN		Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А	4-7 НЕДЕЛЬ	246
		TOP245PN		ИМС	PI
		TOP245PN		ИМС	PWR	20	293.67
		TOP245PN		ИМС			243.20
		TOP245PN		ИМС	Power Integrations
		TOP245PN		ИМС	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TOP245PN		ИМС	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TOP245PN		ИМС	POWER INTEGRATIONS
		TOP245PN		ИМС	POWER INTEGRATI
		TOP245PN		ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	172

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"