|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
6 614
|
11.42
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
148 184
|
4.01
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
8.27
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
854
|
4.71
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
140 626
|
3.64
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 536
|
5.09
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.58
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.72
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.36
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
32 541
|
1.78
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
60 800
|
3.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.74
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 710
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
14 815
|
8.93
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
12 375
|
3.71
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.48
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
7 123
|
12.44
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
3 204
|
4.56
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
2 380
|
5.05
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
14 400
|
3.40
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ONS
|
160
|
76.45
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIRCHILD
|
1 467
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
|
1 592
|
169.02
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PWR
|
1 536
|
166.91
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
246
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PWR
|
20
|
293.67
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
|
|
243.20
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
172
|
|
|