PDTC114EE
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FM25L512-DG |
|
Память FRAM, 64Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0:3.6В, ... | RAMTRON |
|
|
|||
| FM25L512-DG |
|
Память FRAM, 64Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0:3.6В, ... | RAM |
|
|
|||
| FM25L512-DG |
|
Память FRAM, 64Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0:3.6В, ... |
|
1 252.00 | ||||
| FM25L512-DG |
|
Память FRAM, 64Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0:3.6В, ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 272 |
|
|||
 |
 |
HR911105A |
|
Розетка на плату угловая 10/100BASE-T Ethernet,12 контактов | HANRUN | 14 671 | 94.87 | |
|
|
|
HR911105A |
|
Розетка на плату угловая 10/100BASE-T Ethernet,12 контактов |
|
612.00 |
