Версия для печати
Технические характеристики IRF7314PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	780pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	KB
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	KINGBRIGHT
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...			66.00
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	КИТАЙ
		SC39-11SRWA		Сегментный светодиод, общий катод, 9,9mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...	KGB
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	35.92
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		7	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	749
		ULN2803AP			TOSHIBA
		ULN2803AP					50.00
		ULN2803AP			4-7 НЕДЕЛЬ	356
		КТ660А			ЗПП
		КТ660А				733	14.05
		КТ660А			МИНСК	45	12.72
		КТ660А			ЗПП МИНСК
		КТ660А			ИНТЕГРАЛ
		КТ660А			ИНТЕГРАЛ-С
		КТ660А			RUS
		КТ660А			ТРАНЗИСТОР
		КТ660А			ДАЛЕКС
		КТ660А			228
		КТ660А			79
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		6 916	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	19 675	48.76
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 440	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"