| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
|
4
|
279.72
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
США
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
1
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
478
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
14 372
|
11.37
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
328
|
12.88
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
328
|
4.13
|
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
376
|
|
|