SI8445DB-T2-E1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI8445DB-T2-E1 (VISHAY.)	3 000	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT

Версия для печати

Технические характеристики SI8445DB-T2-E1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 10V
Power - Max	11.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	4-XFBGA, CSPBGA
Корпус	4-Microfoot

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.