RJP020N06T100

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RJP020N06T100 (ROHM.)	6 512	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Версия для печати

Технические характеристики RJP020N06T100

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	160pF @ 10V
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-243AA
Корпус	MPT3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RJP020N06T100 datasheet