КТ626Е

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КТ626Е (ТОМСК)	400	2.68
КТ626Е	1 600	3-4 недели Цена по запросу
КТ626Е	1 600	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTRONICS	1	25.67
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250		6 501	7.62
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MOTOROLA
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MOTOROLA
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	STMICROELECTRONICS
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MCC
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ON Semiconductor
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTR
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	PHILIPS
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST1
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTRO
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	МИНСК
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	TRR	4 000	2.90
КТ626А			1 081	21.08
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК	39 146	3.58
КТ626А		БРЯНСК	1	5.37
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ626А		2
КТ626А		2525
КТ626А		3098
КТ626А		39045
КТ626А		4192
КТ626А		50
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		144	20.24
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 002	32.22
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N2219[A]
2N2219[A]		UNKNOWN
2N6129
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C		1	18.96
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	КРЕМНИЙ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ANK
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	БРЯНСК
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ВОРОНЕЖ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	4-7 НЕДЕЛЬ	168
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...		2	234.36
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	МЕКСИКА
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	INFINEON
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	IR/VISHAY
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	KLS
IRFP150N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	EVVO	2 638	38.08
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		1 030	111.60
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	2 544	17.90
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ