MMBT589LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT589LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	2	3-4 недели Цена по запросу
MMBT589LT1G (ONS)	2 006	5.95

Версия для печати

Технические характеристики MMBT589LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 2V
Power - Max	310mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.