| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
78L05 (LM78L05) |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HTC
|
|
|
|
|
|
|
BD9897FS |
|
Контроллер инвертора DC/AC
|
ROHM
|
60
|
185.71
|
|
|
|
|
BD9897FS |
|
Контроллер инвертора DC/AC
|
|
1
|
294.84
|
|
|
|
|
BD9897FS |
|
Контроллер инвертора DC/AC
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
BD9897FS |
|
Контроллер инвертора DC/AC
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BD9897FS |
|
Контроллер инвертора DC/AC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
400
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
|
1 762
|
24.56
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
ONS
|
1 344
|
63.16
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDD8447L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
|
|
168.00
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
Версия для печати
