MF-0.5 680 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314G-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	BOURNS	320	68.39
3314G-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	Bourns Inc
3314G-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм
3362P-1-503LF	Потенциометр 50 кОм			120.00
3362P-1-503LF	Потенциометр 50 кОм	VATRONICS
3362P-1-503LF	Потенциометр 50 кОм	Bourns Inc
3362P-1-503LF	Потенциометр 50 кОм	BOURNS	2 077	39.13
4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16)		ON SEMICONDUCTOR
4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16)
КП313А	Транзистор кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом ...			69.12
КП313А	Транзистор кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом ...	ВИННИЦА
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	КРИСТАЛЛ
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА		1	166.50
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	УЛЬЯНОВСК	468	357.00
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	ИСКРА
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	RUS
КТ117А	Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	НПП УРЛЗ	64	599.26