IRF7104 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SO8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATMEGA88PA-PU	ИМС МП 1,8-5,5V 8K-FLASH 20MHZ D	ATMEL
ATMEGA88PA-PU	ИМС МП 1,8-5,5V 8K-FLASH 20MHZ D
ATMEGA88PA-PU	ИМС МП 1,8-5,5V 8K-FLASH 20MHZ D	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
ATMEGA88PA-PU	ИМС МП 1,8-5,5V 8K-FLASH 20MHZ D	MICRO CHIP	107	617.46
ATMEGA88PA-PU	ИМС МП 1,8-5,5V 8K-FLASH 20MHZ D	4-7 НЕДЕЛЬ	423
IRFIBC30G MOSFET N-CH		INTERNATIONAL RECTIFIER	1 474	42.00
IRFIBC30G MOSFET N-CH
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 860	12.33
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
TA23-11SRWA	Дисплей светодиодный	KB
TA23-11SRWA	Дисплей светодиодный	KINGBRIGHT
TA23-11SRWA	Дисплей светодиодный			613.20
TA23-11SRWA	Дисплей светодиодный	KGB
TA23-11SRWA	Дисплей светодиодный	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
МЛТ - 0.125 ВТ 470 КОМ 5%			1 200	1.09