SI7145DP-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7145DP-T1-GE3 (VISHAY)	1 188	158.49

MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI7145DP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	413nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	15660pF @ 15V
Power - Max	104W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.