BB133

Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BB133	5	25.00
BB133 (PHILIPS.)	1 005	3-4 недели Цена по запросу
BB133 (SHIKUES)	2 663	2.98

Максимальное постоянное обратное напряжение,В 30
Емкость, пФ при напряжении 0.5В: 38…46;
Емкость, пФ при напряжении 28В: 2,2…2,6;
Iобр, макс, нА: 200;
Частота макс, МГц: 460;
Температурный диапазон, °С: -55…+125;
Корпус: SOD-323;

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BB133

VHF variable capacitance diode

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BB133 datasheet
57.81Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		12 000	2.33
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	25 017	1.92
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323		24	12.95
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS SEMIC
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323	1
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	8.59
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	16 657	1.38 >100 шт. 0.69
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	944 880	1.50 >100 шт. 0.75
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
NJM78L03UA-TE1		MATSUSHITA
NJM78L03UA-TE1		JRC	5 735	12.85
NJM78L03UA-TE1				42.00
NJM78L03UA-TE1		NJR
NJM78L03UA-TE1		4-7 НЕДЕЛЬ	238

BB133

Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

С этим товаром покупают: