Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 256 x 8 |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 4KB (2K x 16) |
Число вводов/выводов | 12 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
Подключения | USI |
Скорость | 20MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | AVR |
Серия | AVR® ATtiny |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
|
|
440.00
|
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
23
|
|
|
|
|
ADG711BRZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
613
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
9 524
|
1.52
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
2.02
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
10 899
|
1.19
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
36 340
|
1.27
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
|
1
|
59.22
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
LIT
|
|
|
|
|
|
LTV357TB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
136
|
|
|
|
|
MF-1-10М 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10МОм, 5%, 1Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-1-10М 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10МОм, 5%, 1Вт
|
|
120
|
4.16
|
|
|
|
PWL- 2 |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
PWL- 2 |
|
|
КИТАЙ
|
1
|
7.23
|
|