|   | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Power - Max | 910mW | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 4.5V | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | 
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.1A | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 18A, 10V | 
| FET Feature | Logic Level Gate | 
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
| Корпус | 8-SOICN | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM43R5C2D222JY21L |   | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В | MUR |   |   | |||
| GRM43R5C2D222JY21L |   | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В |   |   | ||||
| GRM43R5C2D222JY21L |   | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В |   |   |